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Samsung 850 EVO 1T 2.5インチSATA III 3.0 6Gbp / s内蔵SSDソリッドステートドライブMZ-75E1T0B / CN

Samsung 850 EVO 1T 2.5インチSATA III 3.0 6Gbp / s内蔵SSDソリッドステートドライブMZ-75E1T0B / CN

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Samsung SSDを搭載したPCをアップグレードすることは、老化するPCに新しい命を吹き込む最も経済的な方法です。 850 EVOはSamsung 3D V-NAND技術を搭載しています。日常のコンピューティングに最適化されたパフォーマンス。驚異的なシーケンシャル読み取り/書き込みパフォーマンス：最大540MB / sおよび520MB / s、ランダム読み取り/書き込みIOPSパフォーマンス：それぞれ最大97Kおよび88K

特徴：
三星3D V-NAND技術を搭載。日常のコンピューティングに最適化されたパフォーマンス。
驚異的なシーケンシャル読み取り/書き込みパフォーマンス：最大540MB / sおよび520MB / s、ランダム読み取り/書き込みIOPSパフォーマンス：それぞれ最大97Kおよび88K
RAPIDモードを強化して、2倍の性能向上を実現する高速レーンに入ります。
3D V-NAND技術は、840 EVOに比べて30％の耐久性向上をもたらします。耐久性、信頼性。
より良い効率とより長いサービス時間の消費電力は2D NANDの半分に過ぎません。これらはすべて3D V-NAND技術によってサポートされています。

仕様：
ブランド：Samsung
シリーズ：850 EVO
モデル：MZ-75E1T0B / CN
記憶容量：120GB、250GB、500GB、1TB（オプション）
インターフェイス：SATA 6Gbp / s（互換性のあるSATA 3Gb / sおよび1.5Gb / s）
フォームファクタ：2.5インチ
NANDタイプ：Samsung 32層3D V-NAND
コントローラ：120/250 / 500GB：Samsung MGXコントローラ。 1TB：Samsung MEXコントローラ
DRAMキャッシュメモリ：256MB（120GB）、512MB（250 / 500GB）、1GB（1TB）LPDDR2
シーケンシャル読み取り速度：最大540MB /秒
シーケンシャル書き込み速度：最大520MB / s
4Kランダム読み取り速度（QD1）：最大10,000IOPS
4Kランダム書き込み速度（QD1）：最大40,000 IOPS
4Kランダム読み取り速度（QD32）：最大98,000IOPS（500GB / 1TB）、97,000IOPS（250GB）、94,000IOPS（120GB）
4Kランダム書き込み速度（QD32）：最大90,000IOPS（500GB / 1TB）、88,000IOPS（120GB / 250GB）
暗号化：AES 256ビットフルディスク暗号化（FDP）。 TCG / Opal V2.0、暗号化ドライブ（IEEE1667）
信頼性（MTBF）：150万時間
TBW：75TBW（120GB / 250GB）、150TBW（500GB / 1TB）
TRIM：サポート（必要なOSサポート）
スマート：サポート
動作温度：0〜70℃
実行時ではない：-40〜85℃
湿度：5％〜95％、結露しないこと
振動：20〜2000Hz、20G、実行時ではない
衝撃：1500G、持続時間0.5m秒、3軸、実行時ではない
アイテムサイズ：100 * 69.85 * 6.8mm / 3.93 * 2.75 * 0.26in（L * W * H）
パッケージサイズ：14 * 12 * 1.5cm / 5.51 * 4.72 * 0.59in（L * W * H）
パッケージ重量：110g / 3.88oz

パッケージリスト：
1 * SSD

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